Продукція > ONSEMI > FDC6312P
FDC6312P

FDC6312P onsemi

fdc6312p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.89 грн
6000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6312P onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 700mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 16.41 грн до 78.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.56 грн
10+46.41 грн
100+26.95 грн
500+21.93 грн
1000+19.83 грн
3000+17.32 грн
6000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.56 грн
10+47.66 грн
100+30.88 грн
500+22.80 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.