Продукція > ONSEMI > FDC637BNZ
FDC637BNZ

FDC637BNZ onsemi

fdc637bnz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.02 грн
6000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637BNZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції FDC637BNZ за ціною від 7.60 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor fdc637bnz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.44 грн
1000+17.45 грн
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 727
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
17+26.24 грн
19+22.35 грн
100+13.04 грн
500+10.41 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi / Fairchild FDC637BNZ-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.55 грн
12+27.42 грн
100+16.53 грн
500+12.73 грн
1000+11.25 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi fdc637bnz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+28.34 грн
100+18.19 грн
500+12.97 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ onsemi fdc637bnz-d.pdf MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.39 грн
11+30.09 грн
100+12.73 грн
500+10.34 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.39 грн
27+30.52 грн
100+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ ONS/FAI FDC637BNZ.pdf N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2195+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2195
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
727+19.44 грн
1000+17.45 грн
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 727
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.55 грн
17+26.24 грн
19+22.35 грн
100+13.04 грн
500+10.41 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ-D.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.55 грн
12+27.42 грн
100+16.53 грн
500+12.73 грн
1000+11.25 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.47 грн
11+28.34 грн
100+18.19 грн
500+12.97 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
FDC637BNZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
11+30.09 грн
100+12.73 грн
500+10.34 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ 2304615.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.39 грн
27+30.52 грн
100+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
Виробник: ONS/FAI
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.