FDC638P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.47 грн |
| 6000+ | 15.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC638P onsemi
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC638P за ціною від 15.92 грн до 82.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC638P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC638P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V |
на замовлення 6665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC638P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V |
на замовлення 32968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC638P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 31670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|