FDC653N onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.26 грн |
| 6000+ | 18.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC653N onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDC653N за ціною від 16.55 грн до 85.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC653N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V |
на замовлення 53830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC653N | Виробник : ONS/FAI |
N-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC653N | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V |
на замовлення 53016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|