Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 55.93 грн до 206.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD10AN06A0 | onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 8270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD10AN06A0 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD10AN06A0 | onsemi |
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 8081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDD10AN06A0 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.38 грн |
| 10+ | 122.06 грн |
| 100+ | 80.30 грн |
| 500+ | 64.45 грн |
| 1000+ | 60.40 грн |
| FDD10AN06A0 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.96 грн |
| 10+ | 116.19 грн |
| 100+ | 79.86 грн |
| 500+ | 61.07 грн |
| FDD10AN06A0 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.11 грн |
| 10+ | 131.69 грн |
| 100+ | 78.91 грн |
| 500+ | 63.68 грн |
| 1000+ | 59.84 грн |
| 2500+ | 55.93 грн |