Продукція > ONSEMI > FDD16AN08A0
FDD16AN08A0

FDD16AN08A0 onsemi

FDD16AN08A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+53.24 грн
5000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD16AN08A0 onsemi

Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD16AN08A0 за ціною від 56.39 грн до 198.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 onsemi / Fairchild FDD16AN08A0_D-2312134.pdf MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.99 грн
10+108.61 грн
100+67.66 грн
500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 onsemi FDD16AN08A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 10322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.41 грн
10+111.17 грн
100+76.23 грн
500+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI FDD16AN08A0-D.pdf Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.17 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+65.59 грн
1000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0_D-2312134.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.99 грн
10+108.61 грн
100+67.66 грн
500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 10322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.41 грн
10+111.17 грн
100+76.23 грн
500+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.17 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+65.59 грн
1000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.