Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD3580
FDD3580

FDD3580 Fairchild Semiconductor

FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3580 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDD3580

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3580 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD3580%2C%20FDU3580.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.