FDD6637 Fairchild
Код товару: 86650
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.02 грн до 164.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6637 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
на замовлення 7124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Drain current: -55A Drain-source voltage: -35V Gate charge: 35nC On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar |
на замовлення 2363 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD6637 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD6637 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm |
на замовлення 7124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|