| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.04 грн |
| 10+ | 40.68 грн |
| 100+ | 26.55 грн |
| 500+ | 19.20 грн |
| 1000+ | 17.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6670A UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDD6670A за ціною від 34.18 грн до 119.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6670A | onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD6670A | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD6670A |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.02 грн |
| 10+ | 75.94 грн |
| 100+ | 47.05 грн |
| 500+ | 38.05 грн |
| 1000+ | 34.18 грн |
| FDD6670A |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.47 грн |
| 10+ | 72.91 грн |
| 100+ | 49.00 грн |