FDFS2P753Z

FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003590910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 419870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1025+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDFS2P753Z за ціною від 21.24 грн до 21.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDFS2P753Z FDFS2P753Z Виробник : onsemi ONSM-S-A0003590910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1025+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
FDFS2P753Z Виробник : FAIRCHIL ONSM-S-A0003590910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdfs2p753z-d.pdf SOP-8
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.