Інші пропозиції FDL100N50F за ціною від 682.16 грн до 1334.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Gate charge: 238nC On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 2.5kW Polarisation: unipolar |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi |
MOSFETs UniFET 500V |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET 500V |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|