FDMC6679AZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC6679AZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC6679AZ за ціною від 32.21 грн до 154.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench |
на замовлення 17969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench |
на замовлення 15015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC6679AZ | Виробник : ONN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |