Інші пропозиції FDMC7692 за ціною від 19.06 грн до 101.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC7692 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7692 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 29W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7692 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7692 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench |
на замовлення 37139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7692 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench |
на замовлення 11054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7692 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 7200 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7692 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDMC7692 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |