FDMS3672 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 87.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3672 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc).
Інші пропозиції FDMS3672 за ціною від 77.34 грн до 257.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS3672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS3672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V |
на замовлення 7578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS3672 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |