| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 74.88 грн |
| 192+ | 74.14 грн |
| 218+ | 65.22 грн |
| 250+ | 56.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 40.99 грн до 201.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS8460 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8460 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8460 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench |
на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench |
на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8460 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: PowerTrench® |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8460 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 19761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|