Інші пропозиції FDMS86101 за ціною від 56.77 грн до 216.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 14350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 31951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86101 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
на замовлення 35915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86101 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 14589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS86101 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |

