Інші пропозиції FDN337N за ціною від 9.60 грн до 624.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN337N | Виробник : Fairchild |
 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: PowerTrench® Gate charge: 9nC |
на замовлення 8703 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN337N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 48051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 76725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN337N | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 65941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| FDN337N | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. ви кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|