Продукція > FAIRCHILD > FDN359AN
FDN359AN

FDN359AN Fairchild

info-tfdn359an.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359AN Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN359AN за ціною від 8.71 грн до 49.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN359AN FDN359AN Виробник : onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
6000+10.31 грн
9000+9.83 грн
15000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : onsemi / Fairchild FDN359AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.60 грн
11+30.89 грн
100+17.86 грн
500+13.64 грн
1000+12.24 грн
3000+9.07 грн
6000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.40 грн
14+32.17 грн
50+22.60 грн
100+19.30 грн
500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.88 грн
11+29.77 грн
100+19.18 грн
500+13.70 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.