Інші пропозиції FDN360P за ціною від 8.07 грн до 48.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN360P | Виробник : ON-Semiconductor |
 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360Pкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
на замовлення 124705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : ONS/FAI |
SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6826 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
на замовлення 124705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN360P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V |
на замовлення 42200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDN360P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V |
на замовлення 12430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|