FDP8030L

FDP8030L Fairchild Semiconductor


FAIRS44829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 6859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+360.56 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP8030L Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDP8030L за ціною від 224.58 грн до 438.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP8030L FDP8030L Виробник : onsemi fdp8030l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.34 грн
10+361.59 грн
100+301.35 грн
500+249.54 грн
1000+224.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8030L Виробник : N/A FAIRS44829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp8030l-d.pdf 09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.