FDS2572 Fairchild
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS2572 Fairchild
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDS2572 за ціною від 47.97 грн до 182.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V |
на замовлення 14221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|