Продукція > ONSEMI > FDS4501h
FDS4501h

FDS4501h onsemi

fds4501h-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4501h onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDS4501h за ціною від 33.19 грн до 129.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4501h FDS4501h Fairchild Semiconductor FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FDS4501h onsemi / Fairchild FDS4501H_D-2312787.pdf MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.89 грн
10+84.11 грн
100+64.35 грн
1000+58.79 грн
2500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FDS4501h onsemi fds4501h-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.75 грн
10+79.61 грн
100+53.44 грн
500+39.62 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FAIRCHILD FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf 09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4501h
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FDS4501H_D-2312787.pdf
FDS4501h
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.89 грн
10+84.11 грн
100+64.35 грн
1000+58.79 грн
2500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h fds4501h-d.pdf
FDS4501h
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.75 грн
10+79.61 грн
100+53.44 грн
500+39.62 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4501h FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.