FDS5672 Fairchild
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5672 Fairchild
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS5672 за ціною від 49.93 грн до 224.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET |
на замовлення 33174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|