Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 9.95 грн до 96.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6612A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk |
на замовлення 138927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 47011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 N-CH 30V |
на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |