Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6679AZ Fairchild
FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 64 шт:
49 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 21.69 грн до 125.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.90 грн
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.90 грн
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.43 грн
5000+24.50 грн
7500+23.52 грн
12500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.36 грн
500+44.62 грн
1000+42.44 грн
2500+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.21 грн
500+35.73 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.25 грн
190+74.50 грн
264+53.58 грн
267+51.15 грн
500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 23505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+62.09 грн
100+41.32 грн
500+30.40 грн
1000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.75 грн
6+73.99 грн
10+64.00 грн
50+46.30 грн
100+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.84 грн
10+58.31 грн
100+38.19 грн
500+29.26 грн
1000+27.29 грн
2500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.79 грн
50+66.62 грн
100+50.21 грн
500+35.73 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.11 грн
11+75.25 грн
25+74.50 грн
100+51.67 грн
250+47.36 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.90 грн
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.90 грн
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.43 грн
5000+24.50 грн
7500+23.52 грн
12500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ info-tfds6679az.pdf
FDS6679AZ
Виробник: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+48.36 грн
500+44.62 грн
1000+42.44 грн
2500+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.21 грн
500+35.73 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+75.25 грн
190+74.50 грн
264+53.58 грн
267+51.15 грн
500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 23505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.06 грн
10+62.09 грн
100+41.32 грн
500+30.40 грн
1000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.75 грн
6+73.99 грн
10+64.00 грн
50+46.30 грн
100+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+58.31 грн
100+38.19 грн
500+29.26 грн
1000+27.29 грн
2500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.79 грн
50+66.62 грн
100+50.21 грн
500+35.73 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.11 грн
11+75.25 грн
25+74.50 грн
100+51.67 грн
250+47.36 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
2 Додати до обраних Обраний товар
irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 38 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8 шт
8 шт - очікується
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
10 шт - склад
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF
Код товару: 25137
2 Додати до обраних Обраний товар
irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
19 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 20.06.2026
Кількість Ціна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 874 шт
728 шт - склад
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.10 грн
100+4.50 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.