FDS6680A Fairchild
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6680A Fairchild
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 21.24 грн до 108.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6680A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V |
на замовлення 4131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 23nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : onsemi |
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 4763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6680/A | Виробник : FSC | 09+ SO-8 |
на замовлення 12982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |