Інші пропозиції FDS6982AS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDS6982as | Fairchild/ON Semiconductor |
 Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| FDS6982as | ONS/FAI |
MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FDS6982as | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDS6982as | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FDS6982as | onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FDS6982as |
|
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6982as |
|
Виробник: ONS/FAI
MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори
MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6982as |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6982as |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6982as |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.