FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 125A, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 0.95V, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Reverse recovery time: 35ns.
Інші пропозиції FES8DT-E3/45 за ціною від 31.69 грн до 141.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FES8DT-E3/45 | Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FES8DT-E3/45 | Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FES8DT-E3/45 | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.95V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 35ns |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FES8DT-E3/45 | Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FES8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FES8DT-E3/45 | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 5341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 53.54 грн |
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 53.57 грн |
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.95V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.95V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.20 грн |
| 10+ | 44.53 грн |
| 25+ | 39.62 грн |
| 100+ | 36.65 грн |
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 197+ | 71.65 грн |
| 214+ | 66.12 грн |
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.91 грн |
| 50+ | 61.73 грн |
| 100+ | 48.91 грн |
| 500+ | 38.91 грн |
| 1000+ | 31.69 грн |
| FES8DT-E3/45 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt
Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.12 грн |
| 10+ | 66.72 грн |
| 100+ | 38.40 грн |
| 500+ | 33.19 грн |




