Інші пропозиції FQA13N80_F109 за ціною від 197.67 грн до 461.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FQA13N80-F109 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-3P N-CH 600V |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
FQA13N80-F109 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FQA13N80_F109 | FAIRCHILD | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| FQA13N80-F109 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 14850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQA13N80_F109 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 197.67 грн |
| FQA13N80_F109 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 197.67 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.33 грн |
| 10+ | 222.40 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 461.25 грн |
| 30+ | 254.36 грн |
| 120+ | 212.74 грн |
| FQA13N80_F109 |
Виробник: FAIRCHILD
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.00 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



