FQA70N10

FQA70N10


fqa70n10-d.pdf
Код товару: 116416
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQA70N10 за ціною від 89.11 грн до 293.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQA70N10 FQA70N10 Fairchild info-tfqa70n10.pdf N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.56 грн
10+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.43 грн
10+143.06 грн
30+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi fqa70n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.70 грн
30+147.45 грн
120+120.90 грн
510+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi fqa70n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.98 грн
10+156.90 грн
120+111.11 грн
510+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI fqa70n10-d.pdf Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.73 грн
10+162.45 грн
100+154.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 info-tfqa70n10.pdf
FQA70N10
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10-D.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.56 грн
10+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.43 грн
10+143.06 грн
30+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.70 грн
30+147.45 грн
120+120.90 грн
510+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.98 грн
10+156.90 грн
120+111.11 грн
510+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.73 грн
10+162.45 грн
100+154.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.