FQB19N20TM onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 64.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB19N20TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc).
Інші пропозиції FQB19N20TM за ціною від 62.43 грн до 222.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQB19N20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQB19N20TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQB19N20TM | Виробник : FCS |
02+ |
на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |