Інші пропозиції FQB27P06TM за ціною від 51.53 грн до 207.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB27P06TM | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB27P06TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB27P06TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB27P06TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB27P06TM | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|