Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD13N06LTM
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM ON Semiconductor

fqu13n06ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N06LTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQD13N06LTM за ціною від 17.04 грн до 83.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.14 грн
500+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
465+30.50 грн
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.40 грн
22+35.37 грн
32+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.70 грн
21+40.65 грн
100+30.14 грн
500+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.65 грн
12+35.13 грн
25+29.84 грн
100+23.95 грн
250+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : UMW 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+39.94 грн
100+26.07 грн
500+18.85 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi FQU13N06L-D.PDF 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 13922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.91 грн
10+48.90 грн
100+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.