Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FQD6N40CTM
FQD6N40CTM

FQD6N40CTM ON-Semiconductor

info-tfqd6n40ctm.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD6N40CTM ON-Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQD6N40CTM за ціною від 32.70 грн до 145.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD6N40CTM FQD6N40CTM Виробник : onsemi fqd6n40c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.93 грн
5000+33.03 грн
7500+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM Виробник : onsemi fqd6n40c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.70 грн
10+47.73 грн
100+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM Виробник : ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.61 грн
10+71.44 грн
25+62.20 грн
100+48.75 грн
250+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM Виробник : onsemi fqd6n40c-d.pdf MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.82 грн
10+85.12 грн
100+50.90 грн
500+41.83 грн
1000+38.20 грн
2500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.