FQP10N20 FAIRCHILD


FQP10N20.pdf
Виробник: FAIRCHILD
TO-220AB
на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP10N20 FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQP10N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP10N20 FQP10N20 Виробник : onsemi FQP10N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20 FQP10N20 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQFQP10N20-1192313.pdf MOSFET 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.