Інші пропозиції FQP17P06 за ціною від 52.99 грн до 207.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP17P06 | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP17P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP17P06 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 14922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|