FQP19N10
Виробник:
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP19N10
Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc).
Інші пропозиції FQP19N10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP19N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) |
товару немає в наявності |