Продукція > FQP > FQP20N06

FQP20N06


fqp20n06-d.pdf
Виробник:

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 53W (Tc).

Інші пропозиції FQP20N06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi fqp20n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQP20N06-D.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.