FQP2P40


FQP2P40.pdf
Виробник:

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP2P40

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQP2P40

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP2P40 FQP2P40 Виробник : onsemi FQP2P40.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40 FQP2P40 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQP2P40-1192222.pdf MOSFET 400V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.