Інші пропозиції FQP55N10 за ціною від 65.08 грн до 211.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP55N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQP55N10 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 155W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQP55N10 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |