Інші пропозиції FQP6N80C за ціною від 49.96 грн до 219.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP6N80C | Виробник : ON-Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80cкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP6N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP6N80C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQP6N80C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|