FQPF19N20C ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 340+ | 103.99 грн |
| 500+ | 93.59 грн |
| 1000+ | 86.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF19N20C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQPF19N20C за ціною від 42.90 грн до 210.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.1A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 999 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 3238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | onsemi |
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET |
на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF19N20C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 340+ | 103.99 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 340+ | 103.99 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 136+ | 104.52 грн |
| 148+ | 95.43 грн |
| 500+ | 78.10 грн |
| 1000+ | 68.61 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 145.86 грн |
| 5+ | 105.81 грн |
| 10+ | 92.27 грн |
| 50+ | 68.57 грн |
| 100+ | 62.64 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.28 грн |
| 50+ | 72.15 грн |
| 100+ | 64.71 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.53 грн |
| 10+ | 64.94 грн |
| 100+ | 52.67 грн |
| 500+ | 48.52 грн |
| 1000+ | 45.01 грн |
| 2500+ | 42.90 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.91 грн |
| 10+ | 79.26 грн |
| 100+ | 66.53 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 210.31 грн |
| 10+ | 104.48 грн |
| 100+ | 95.39 грн |
| 500+ | 75.28 грн |
| 1000+ | 63.50 грн |





