Інші пропозиції FQPF3N80C за ціною від 52.51 грн до 184.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 68579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQPF3N80C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQPF3N80C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|