IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 54.97 грн до 164.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC |
на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |