IRF1404PBF
Код товару: 31360
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404PBF за ціною від 26.26 грн до 252.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 281999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 84172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 4mΩ |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 7539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC |
на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9120 шт
5172 шт - склад
2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
1700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
1700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| NIPPEL TO-220 Втулка ізоляційна для TO220, 6,1мм, макс.130°C Код товару: 26109
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
у наявності: 15074 шт
14617 шт - склад
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
106 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
106 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
8 шт
8 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| P6KE12CA Код товару: 27293
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 1124 шт
978 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| BZX55-C6V8 Код товару: 42067
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
у наявності: 2502 шт
1427 шт - склад
453 шт - РАДІОМАГ-Київ
84 шт - РАДІОМАГ-Львів
109 шт - РАДІОМАГ-Харків
429 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
453 шт - РАДІОМАГ-Київ
84 шт - РАДІОМАГ-Львів
109 шт - РАДІОМАГ-Харків
429 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |











