IRF5305PBF
Код товару: 40618
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:
1 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 500 шт:
500 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
100+ | 27.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5305PBF за ціною від 30.6 грн до 101.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
на замовлення 7828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 39420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 57 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF5305PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 77539 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
1N4148 Код товару: 176824 |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 6309 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.28 грн |
470uF 35V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR471M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 33061 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 889 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5.5 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.5 грн |
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544 |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 47463 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 37186 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |