IRF540 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 398+ | 49.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRF540 onsemi
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540NPBF Код товару: 3289 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 863 шт
|
|
||||||||
|
IRF540PBF Код товару: 182036 |
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 258 шт
|
|
Інші пропозиції IRF540 за ціною від 42.48 грн до 50.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF540 - MOSFET, N TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF540 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF540 Код товару: 7921 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
 |
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF540PBF |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET MOSFET 100V .077 OHM M |
товар відсутній |
|||||
 |
IRF540 | Виробник : NXP Semiconductors |
MOSFET RAIL IR |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRF540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товар відсутній |