Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 223 шт:
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 25.69 грн до 147.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+34.43 грн
50+34.08 грн
100+33.78 грн
500+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
412+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.53 грн
2000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.53 грн
2000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.32 грн
16000+46.90 грн
24000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+54.01 грн
266+53.46 грн
292+48.68 грн
500+41.33 грн
1000+37.88 грн
2000+36.00 грн
5000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+57.85 грн
50+57.26 грн
100+51.46 грн
500+43.08 грн
1000+39.49 грн
2000+37.53 грн
5000+37.15 грн
10000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+58.25 грн
246+57.65 грн
274+51.81 грн
500+43.38 грн
1000+39.76 грн
2000+37.79 грн
5000+37.41 грн
10000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.79 грн
11+39.59 грн
25+31.27 грн
50+30.17 грн
100+29.17 грн
250+27.91 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.19 грн
50+55.13 грн
100+49.20 грн
500+36.39 грн
1000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.31 грн
13+66.15 грн
100+55.56 грн
500+39.41 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.45 грн
10+91.54 грн
100+52.37 грн
500+41.55 грн
1000+36.94 грн
2000+33.73 грн
5000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
2 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 LM324.pdf INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en.CD00001046.pdf lm2902a-d.pdf
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 211 шт
156 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BN
Код товару: 4328
2 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 360 шт
305 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 30 шт
30 шт - очікується
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C
Код товару: 123175
Додати до обраних Обраний товар
tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
90 шт - склад
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 153903
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 109 шт
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 29.10.2026
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74HC164D
Код товару: 1663
Додати до обраних Обраний товар
description 74hc164d.pdf
74HC164D
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Регістр зрушення 8-біт. Послед.вход, парал.выход
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ІР8
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C
у наявності: 186 шт
146 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
3+9.00 грн
10+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.