IRF640

код товара: 7926
IRF640

DOWNLOAD IRF640.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена/ед
IRF640 IRF640
код товара: 7926
ST Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
<<==>> Возможные замены
IRF640NPBF IRF640NPBF
код товара: 42934
Производитель: IR
DOWNLOAD
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Примечание: P=150W, -55...170 C
  • 11 шт - в магазине РАДИОМАГ-Киев
  • 15 шт - в магазине РАДИОМАГ-Харьков
  • 12 шт - в магазине РАДИОМАГ-Одесса
  • 2 шт - в магазине РАДИОМАГ-Днепр
  • 200 шт - ожидается
под заказ 188416 шт - цена и срок поставки
1+ 13.50 грн
10+ 12.25 грн
IRF640 IRF640 VISH/IR TO-220
количество в упаковке: 50 шт
под заказ 744 шт
срок поставки 10-14 дня (дней)
1+ 27.59 грн
27+ 23.34 грн
77+ 18.94 грн
150+ 16.45 грн
350+ 15.23 грн
950+ 14.47 грн
IRF640 IRF640 IR 08+ под заказ 5000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 08+ под заказ 5000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 под заказ 4080 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 IR под заказ 2100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 IOR TO220/ под заказ 525 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 IR Заказать можно позвонив по телефону 044 220-11-80 или 096-535-64-74 или по почте va@rcscomponents.kiev.ua. Менеджер Вронский Александр под заказ 200 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 ST под заказ 73 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 IOR 1994 под заказ 20 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRF640 IRF640 Транзист. 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF640 IRF640 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; FET Type : MOSFET N-Channel, Metal Oxide; FET Feature : Standard; Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 18A (Tc); Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9A, 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 72nC @ 10V; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1560pF @ 25V; Power - Max : 125W; Operating Temperature : 150°C (TJ); Mounting Type : Through Hole; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
от 14.47 грн до 27.59 грн

Описание

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
  • Transistor Case Style:TO-220
Asers Shop ©