IRF640NPBF
Код товару: 42934
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності 589 шт:
475 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF640NPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 Код товару: 7926 |
Виробник : Philips |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 Монтаж: THT |
у наявності: 458 шт
|
|
Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 21.22 грн до 91.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
на замовлення 37141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 61729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 59900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца) |
на замовлення 386 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
на замовлення 520 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF640NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF640 Код товару: 7926 |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 458 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 23.1 грн |
IRF9640PBF Код товару: 22646 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2282 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
П'єзовипромінювач YMD-12095-G-5V Код товару: 110866 |
Виробник: Global Tone
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
Тип: Зумери
Опис: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Габаритні розміри: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Рабоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
Тип: Зумери
Опис: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Габаритні розміри: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Рабоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
у наявності: 562 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10 грн |
10+ | 9 грн |
100+ | 8 грн |
1N5408 Код товару: 2135 |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 11359 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.8 грн |